LYTCR型動(dòng)態(tài)無功自動(dòng)補(bǔ)償裝置

產(chǎn)品概述
      TCR(Thyristor phase controlled reactor晶閘管相控電抗器)型SVC(StaticVarCompensator)動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置能跟蹤負(fù)荷的工作狀態(tài)，發(fā)出與沖擊負(fù)荷相關(guān)的TCR晶閘閥的觸發(fā)脈沖。通過光電轉(zhuǎn)換及高壓光纜的傳遞，使觸發(fā)脈沖觸發(fā)各晶閘管。不同的觸發(fā)角，改變了TCR主抗器的電流量，從而改變了TCR回路的感性無功率量。通過TCR回路的感性無功功率的跟隨作用，使用戶流入電網(wǎng)的無功功率趨于零（或一定值）。
   由于晶閘管閥及電子設(shè)備的動(dòng)態(tài)響應(yīng)很快，即實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)墓δ堋Ｒ揽縁C回路的作用，濾除諧波電流。通過調(diào)節(jié)器的檢測(cè)，運(yùn)算和調(diào)節(jié)作用使SVC平衡負(fù)荷的不對(duì)稱有功負(fù)荷，抑制電網(wǎng)的負(fù)序分量。

使用條件
   1、環(huán)境溫度：-45℃～45℃，24小時(shí)內(nèi)平均溫度不超過35℃。
   2、相對(duì)濕度：不超過90%。
   3、大氣壓力：80～110kPa。
   4、海拔高度：≤2000m。
   5、風(fēng)速：≤35m/s。
   6、安裝場(chǎng)所：使用地點(diǎn)不允許有**危險(xiǎn)的介質(zhì)，周圍介質(zhì)中不應(yīng)含有
     腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體及導(dǎo)電介質(zhì)，不允許充滿水蒸汽及有嚴(yán)重
     的霉菌存在；應(yīng)具有防御雨、雪、風(fēng)、沙的設(shè)施。
裝置特點(diǎn)
   1、高壓晶閘管閥采用國(guó)外半導(dǎo)體公司的晶閘管元件串聯(lián)連接，能承受
     SVC裝置的**大過流/過壓水平和較高的dv/dt，di/dt水平，并配合
     電抗器實(shí)現(xiàn)良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
   2、閥組采用臥式結(jié)構(gòu)，多層布置形式，框架采用氧化或噴塑工藝的角鋁
     制成。
   3、高電位板實(shí)現(xiàn)高電位取能、觸發(fā)及BOD保護(hù)等功能。　
   4、采用分層分布式控制系統(tǒng)，系統(tǒng)可靠性高和可擴(kuò)展性大。
   5、基于DSP實(shí)現(xiàn)數(shù)字控制信號(hào)的并行處理，實(shí)現(xiàn)了實(shí)時(shí)控制量的計(jì)算
   6、多功能自動(dòng)接口，滿足數(shù)據(jù)傳輸（CAN）、快速控制（直接I/O）和遠(yuǎn)程
     通訊（RS485）的需要。
   7、采用開環(huán)/閉環(huán)反饋控制方式，系統(tǒng)的電壓波動(dòng)和閃變符合國(guó)標(biāo)要求，
     系統(tǒng)功率因數(shù)穩(wěn)定。
   8、通過EMC測(cè)試，具有較強(qiáng)的抗干擾能力。
 技術(shù)參數(shù)
   1、額定電壓：6kV～35kV
   2、額定頻率：50Hz
   3、動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間：≤20mS
   4、無功調(diào)節(jié)范圍：0～**
   5、電壓穩(wěn)定精度：≤1%
   6、功率因數(shù)達(dá)到 0.93 以上；諧波、電壓波動(dòng)、閃變滿足國(guó)標(biāo)及用戶要求
   7、裝置各回路對(duì)地絕緣電阻≥1000M
   8、抗干擾性能：能承受頻率為1MHz共模幅值電壓2500V，差模電壓1000V的衰減震蕩波脈沖干擾。
   9、損    耗：≤5%
   10**大允許電流：裝置能在電流方均根值為1.3IN電流的條件下連續(xù)運(yùn)行。